北京晶閘管也稱為可控硅整流元件(SCR),是由三個PN結構成的一種大功率半導體器件。在性能上,不僅具有單向?qū)щ娦?而且還具有比硅整流元件更為可貴的可控性,它只有導通和關斷兩種狀態(tài)。
 

　　北京晶閘管的優(yōu)點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍;反應極快,在微秒級內(nèi)開通、關斷;無觸點運行,無火花、無噪聲;效率高,成本低等。因此,特別是在大功率UPS供電系統(tǒng)中,在整流電路、靜態(tài)旁路開關、無觸點輸出開關等電路中得到廣泛的應用。
 

　　弱點:靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差,容易受干擾而誤導通。
 

　　從外形上分類主要有:螺栓形、平板形和平底形。
 

　　閘管模塊歸屬于硅元件，硅元件的普遍特征是負載能力差，因此在應用中時常造成損壞的狀況。下面，我們一起來看看損壞的根本原因:
 

　　燒壞的原因是由高溫引起的，高溫是由電、熱、結構特性決定的。因此，要保證在開發(fā)生產(chǎn)過程中的質(zhì)量，應從電氣、熱、結構特性三個方面入手，這三個方面緊密相連，密不可分。因此，在開發(fā)和生產(chǎn)晶閘管模塊時，應充分考慮其電應力、熱應力和結構應力。燒壞的原因有很多。一般來說，北京晶閘管是在三個因素的共同作用下燒壞的，由于單一特性的下降，很難造成制動管燒壞。因此，我們可以在生產(chǎn)過程中充分利用這一特點，也就是說，如果其中一個應力不符合要求，可以采取措施提高另外兩個應力來彌補。
 

　　根據(jù)各相的參數(shù)，頻繁事故的參數(shù)包括電壓、電流、dv/dt、di/dt、漏電、導通時間、關斷時間等。，甚至有時控制電極可能會燒壞。由于各參數(shù)性能下降或電路問題，燒損現(xiàn)象各不相同，通過對燒損的解剖可以判斷是哪個參數(shù)導致了模塊的燒損。
 

　　正常情況下，陰極表面或芯片邊緣有一個小黑點，說明是電壓引起的。電壓導致模塊燒毀可能有兩種原因。一個是模塊電壓故障，也就是我們常說的跌落。電壓故障分為早期故障、中期故障和晚期故障。二是線路情況，造成過電壓，對模塊實行的安全措施失效。
 

　　北京晶閘管被電流燒壞時，陰極表面通常會有較大的燒痕，甚至芯片、外殼等金屬大面積熔化。di/dt引起的燒損很容易判斷。一般在澆口或出料口附近會燒出一個小黑點。我們知道，模塊的等效電路是由兩個晶閘管組成，用與門極對應的晶閘管來觸發(fā)。目的是在觸發(fā)信號到來時放大，然后盡快接通主晶閘管。但是如果短時間內(nèi)電流過大，主晶閘管沒有*導通，大電流主要流過相當于門極的晶閘管，但是這個晶閘管的載流能力很小，導致這個燒壞。表面上看，是在閘門或卸料閘門附近燒出的小黑點。對于Dv/dt，并不會燒毀模塊，可是高Dv/dt會使晶閘管模塊誤導通，其表象類似電流燒毀的狀況。